相信最近不少的玩家在选购内存的时候会看到部分商家会将DDR5内存和DDR4内存进行比较，并且还有各种各样的时序使自己眼花缭乱，但大多数的玩家并不懂这些专业的词汇话术，所以今天就为你们整理出这些区别在哪里。
首先DDR5和DDR4内存的区别在于带宽速度，单片芯片密度，工作频率三个方面。
一、带宽速度方面：
与DDR4相比，改进的DDR5功能将使实际带宽提高36%，目前DDR4的带宽在25.6GB/s，DDR5的带宽为32GB/s。
二、工作频率方面：
DDR4的最低的工作频率标准为1600MHz，最高工作频率为3200MHz（不超频的情况下），而DDR5的工作频率最低高达4800MHz以上，最高频率达到6400MHz。
三、单片芯片密度方面：
DDR4目前主要为4GB，单条内存的最大容量达到128GB，而DDR5会有单片超过16GB的芯片密度，可以达到单条更高容量。
而在功耗方面目前DDR4内存的单条功耗为1.2V，DDR5内存的功耗将进一步降低到1.1V。同时，DDR5具有改进的命令总线效率，更好的刷新方案以及增加的存储体组以获得额外的性能。
说完了DDR5和DDR4内存的区别，那接下来说一下内存的时序起到什么作用。内存时序则是一大串数字，表述的时候中间用破折号隔开，例如16-18-18-38。
内存时序4个数字对应的参数分别为CL、tRCD、tRP、tRAS，单位都是时间周期，也就是一个没有单位的纯数字。
CL（CASLatency）：列地址访问的延迟时间，是时序中最重要的参数。
tRCD（RASto CAS Delay）：内存行地址传输到列地址的延迟时间。
tRP（RASPrecharge Time）：内存行地址选通脉冲预充电时间。
tRAS（RASActive Time）：行地址激活的时间。
越低的时序代表颗粒体质越好，超频的潜力也就越大。内存的时序会随着频率的增加而增加，内存的延迟可以用这个公式来计算：内存延时=时序（CLx 2000 ）/内存频率。
DDR4：（CL15*2000）/2133=14ns
即使内存的时序会随着频率的增加而增加，但最后内存的延时并没有太大的变化。频率相同时，时序越低，延迟也就越小。同样，时序相同时，频率越高，延迟也就越小。
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